(1)ATE测试机：测试环节有设计验证、晶圆制造、封装测试，测试对象有电压、电流、时间、温度、电阻、电容、频率、脉宽、占空比等，主要技术壁垒有集成电路参数项目越来越多，精度越来越高，响应速度越来越快，并且具备通用化软件开发平台，结合大数据应用，下游厂商有封测厂、Fabless厂、晶圆厂
(2)分选机：测试环节是设计验证、封装测试，测试对象是将检测的集成电路逐个自动传至测试工位，进行标记、分选、收料或编带，主要技术壁垒是对自动化高速重复定位控制能力和测压精度要求较高，达到0.01mm，设备要求稳定性强，具备快速切换能力，抗干扰能力强;下游厂商有封测厂、Fabless厂、晶圆厂
(3)探针台：测试环节是设计验证、晶圆制造;测试对象是对测试台测试的芯片打点标记，形成map图;主要技术壁垒有精度要求苛刻(0.001mm级别)，对设备稳定性要求极高，需要具备视觉精密控测量和定位系统，对系统算法提出很高要求，工作环节必须洁净度极高，下游厂商有封测厂、Fabless厂、晶圆厂。
2 测试机的种类
(1)模拟测试机：分为分立器件测试机、模拟测试机、数模混合测试机，主要参数有速度5-10MHz，向量深度8-16MV，调试工具1-3种，协议1-2种，并测几十到几百引脚
(2)SOC测试机：测试对象是微处理器/逻辑芯片/通信芯片等纯数字或数模混合/数字射频混合芯片、CPU、GPU、ASIC、DSP、MCU、CIS、显示驱动芯片、高端AD/DA芯片、射频芯片等，主要参数是速度100MHz-1.6GHz、向量深度256-512MV、调试工具5-10种、协议100余种、并测几百到几千引脚，技术难度在总体测试要求非常高，且要求高并测，故对其软硬件系统的复杂度&技术要求极高，需持续研发以适应不断迭代的高端芯片&新的技术标准和协议
(3)存储测试机：测试对象是存储器、DRAM、NAND Flash等存储芯，主要参数是速度200MHz-6GHz、向量深度256-512MV、调试工具2-3种、协议2-3余种、并测几百上万个引脚，主要技术难度在DRAM/NAND测试对测试机要求非常高，对新的DRAM标准持续支持研发投入大，技术难度大，同测数量要求可达1024DUT，系统昂贵
(4)射频(RF)测试机：测试对象是PA/FEM/射频开关、射频芯片，主要参数是速度50MHz、向量深度8-16MV、调试工具近10种、协议近20种、并测几十到上百个引脚，技术难点在射频板卡VST TX/RX需支持最新协议标准，核心频射板卡研发难度非常大。
